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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSP8K4TB
LAPIS Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SP8K4TB - LAPIS Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SP8K4TB
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SP8K4TB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SP8K4.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 4310

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SP8K4TB
Specifiche tecniche LAPIS Semiconductor - SP8K4TB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad LAPIS Semiconductor - SP8K4TB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 17 mOhm @ 9A, 10V  
Potenza - Max 2W  
imballaggio Original-Reel®  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Altri nomi SP8K4TBDKR  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V  
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A  
Numero di parte base *K4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di LAPIS Semiconductor SP8K4TB

Proprietà del prodotto SP8K4TB SP8K4FU6TB SP8K3FD5TB1 SP8K3TB
Modello di prodotti SP8K4TB SP8K4FU6TB SP8K3FD5TB1 SP8K3TB
fabbricante LAPIS Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V 21nC @ 5V - 11.8nC @ 5V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V 1190pF @ 10V - 600pF @ 10V
Numero di parte base *K4 - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 17 mOhm @ 9A, 10V 17mOhm @ 9A, 10V - 24mOhm @ 7A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP - 8-SOP
imballaggio Original-Reel® - - -
Altri nomi SP8K4TBDKR - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A 9A - 7A
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V - 30V
Serie - - - -
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Potenza - Max 2W 2W - 2W
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP - - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SP8K4TB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SP8K4TB PDF e la documentazione LAPIS Semiconductor per SP8K4TB - LAPIS Semiconductor.

Specifiche
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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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