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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSP8K31FRATB
SP8K31FRATB Image
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SP8K31FRATB - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SP8K31FRATB
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SP8K31FRATB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SP8K31FRATB.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 109170

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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Specifiche

Specifiche tecnologiche SP8K31FRATB
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SP8K31FRATB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SP8K31FRATB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 3.5A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SP8K31  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SP8K31FRATB

Proprietà del prodotto SP8K31FRATB SP8K32TB1 SP8K2FU6TB SP8K31TB1
Modello di prodotti SP8K31FRATB SP8K32TB1 SP8K2FU6TB SP8K31TB1
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Numero di prodotto di base SP8K31 SP8K32 SP8K2 SP8K31
Caratteristica FET - Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate
Potenza - Max 2W 2W (Ta) 2W 2W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) 4.5A (Ta) 6A 3.5A
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V 10nC @ 5V 10.1nC @ 5V 5.2nC @ 5V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 3.5A, 10V 65mOhm @ 4.5A, 10V 30mOhm @ 6A, 10V 120mOhm @ 3.5A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio 150°C 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 30V 60V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V 500pF @ 10V 520pF @ 10V 250pF @ 10V
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -

SP8K31FRATB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SP8K31FRATB PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SP8K31FRATB - Rohm Semiconductor.

Altri documenti correlati
Transistor, MOSFET Flammability.pdf AEC-Q101 Automotive Requirements.pdf
Informazioni ambientali
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SP8K31FRATB

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