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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSM6K2T110
SM6K2T110 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SM6K2T110 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SM6K2T110
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SM6K2T110
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-74, SOT-457
Scheda dati
SM6K2 ~.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 260190

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SM6K2T110
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SM6K2T110, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SM6K2T110

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V  
Potenza - Max 300mW  
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SM6K2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SM6K2T110

Proprietà del prodotto SM6K2T110 SM6S14A-E3/2D SM6S10AHE3/2D SM6J45
Modello di prodotti SM6K2T110 SM6S14A-E3/2D SM6S10AHE3/2D SM6J45
fabbricante Rohm Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V - - -
Contenitore dispositivo fornitore SMT6 DO-218AB DO-218AB -
Contenitore / involucro SC-74, SOT-457 DO-218AB DO-218AB -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 10V - - -
Numero di prodotto di base SM6K2 SM6S14 SM6S10 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 10V - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Caratteristica FET Logic Level Gate - - -
Potenza - Max 300mW - - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA - - -
Serie - PAR® Automotive, AEC-Q101, PAR® -
Tensione drain-source (Vdss) 60V - - -

SM6K2T110 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SM6K2T110 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SM6K2T110 - Rohm Semiconductor.

Schede tecniche
SM6K2 ~.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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