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SH8J66TB1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SH8J66TB1 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SH8J66TB1
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SH8J66TB1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SH8J66TB1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 35755

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SH8J66TB1
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SH8J66TB1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SH8J66TB1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 18.5mOhm @ 9A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SH8J66  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SH8J66TB1

Proprietà del prodotto SH8J66TB1 SH8J62TB1 SH8J65TB1 SH8K12TB1
Modello di prodotti SH8J66TB1 SH8J62TB1 SH8J65TB1 SH8K12TB1
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A 4.5A 7A 5A
Rds On (max) a Id, Vgs 18.5mOhm @ 9A, 10V 56mOhm @ 4.5A, 10V 29mOhm @ 7A, 10V 42mOhm @ 5A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 10V 800pF @ 10V 1200pF @ 10V 250pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V 8nC @ 5V 18nC @ 5V 4nC @ 5V
Potenza - Max 2W 2W 2W 2W
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Numero di prodotto di base SH8J66 SH8J62 SH8J65 SH8K12
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)

SH8J66TB1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SH8J66TB1 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SH8J66TB1 - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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