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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSCT2160KEC
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SCT2160KEC - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SCT2160KEC
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SCT2160KEC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
SCT2160KEC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SCT2160KEC
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SCT2160KEC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SCT2160KEC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) +22V, -6V  
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V  
Dissipazione di potenza (max) 165W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 800 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 18 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)  
Numero di prodotto di base SCT2160  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SCT2160KEC

Proprietà del prodotto SCT2160KEC SCT2080KEC SCT2120AFC SCT20N120
Modello di prodotti SCT2160KEC SCT2080KEC SCT2120AFC SCT20N120
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 18 V 106 nC @ 18 V 61 nC @ 18 V 45 nC @ 20 V
Numero di prodotto di base SCT2160 SCT2080 SCT2120 SCT20
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) +22V, -6V +22V, -6V +22V, -6V +25V, -10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 TO-247 TO-220AB HiP247™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V 18V 18V 20V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 165W (Tc) 262W (Tc) 165W (Tc) 175W (Tc)
temperatura di esercizio 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V 1200 V 650 V 1200 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 800 V 2080 pF @ 800 V 1200 pF @ 500 V 650 pF @ 400 V
Rds On (max) a Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V 117mOhm @ 10A, 18V 156mOhm @ 10A, 18V 290mOhm @ 10A, 20V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 2.5mA 4V @ 4.4mA 4V @ 3.3mA 3.5V @ 1mA
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc) 40A (Tc) 29A (Tc) 20A (Tc)

SCT2160KEC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SCT2160KEC PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SCT2160KEC - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 15/Oct/2021.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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