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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloSCS220AGHRC
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SCS220AGHRC - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SCS220AGHRC
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SCS220AGHRC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2
Scheda dati
SiC Power Devices Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4410

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SCS220AGHRC
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SCS220AGHRC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SCS220AGHRC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.55 V @ 20 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-2  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max)  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 400 µA @ 600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 20A  
Capacità a Vr, F 730pF @ 1V, 1MHz  
Numero di prodotto di base SCS220  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SCS220AGHRC

Proprietà del prodotto SCS220AGHRC SCS215AMC SCS220KGC SCS215KGC
Modello di prodotti SCS220AGHRC SCS215AMC SCS220KGC SCS215KGC
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.55 V @ 20 A 1.55 V @ 12 A 1.6 V @ 20 A 1.6 V @ 15 A
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V 650 V 1200 V 1200 V
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Capacità a Vr, F 730pF @ 1V, 1MHz 438pF @ 1V, 1MHz 1060pF @ 1V, 1MHz 790pF @ 1V, 1MHz
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC TO-220FM TO-220AC TO-220AC
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Numero di prodotto di base SCS220 SCS215 SCS220 SCS215
Corrente - raddrizzata media (Io) 20A 12A 20A 15A
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr 400 µA @ 600 V 240 µA @ 600 V 400 µA @ 1200 V 300 µA @ 1200 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Contenitore / involucro TO-220-2 TO-220-2 Full Pack TO-220-2 TO-220-2
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)

SCS220AGHRC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SCS220AGHRC PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SCS220AGHRC - Rohm Semiconductor.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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