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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloSCS210AMC
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SCS210AMC - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SCS210AMC
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SCS210AMC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2
Scheda dati
SiC Power Devices Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 7715

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SCS210AMC
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SCS210AMC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SCS210AMC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.55 V @ 10 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FM  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-2  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max)  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A  
Capacità a Vr, F 365pF @ 1V, 1MHz  
Numero di prodotto di base SCS210  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SCS210AMC

Proprietà del prodotto SCS210AMC SCS208AMC SCS210AGC SCS212AJHRTLL
Modello di prodotti SCS210AMC SCS208AMC SCS210AGC SCS212AJHRTLL
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Capacità a Vr, F 365pF @ 1V, 1MHz 291pF @ 1V, 1MHz 365pF @ 1V, 1MHz 438pF @ 1V, 1MHz
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FM TO-220FM TO-220AC TO-263AB
Contenitore / involucro TO-220-2 TO-220-2 Full Pack TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base SCS210 SCS208 SCS210 SCS212
Corrente - Dispersione inversa a Vr 200 µA @ 600 V 160 µA @ 600 V 200 µA @ 600 V 240 µA @ 600 V
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 650 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.55 V @ 10 A 1.55 V @ 8 A 1.55 V @ 10 A 1.55 V @ 12 A
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A 8A 10A 12A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount

SCS210AMC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SCS210AMC PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SCS210AMC - Rohm Semiconductor.

Foglio dati HTML
SiC Power Devices Catalog.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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