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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciSCS110KE2C
SCS110KE2C Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SCS110KE2C - LAPIS Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SCS110KE2C
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SCS110KE2C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
SCS110KE2.pdf
Schottky Barrier Diode Part No. Explanation.pdf
Stato RoHS
Senza piombo / RoHS conforme
In magazzino: 2246

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SCS110KE2C
Specifiche tecniche LAPIS Semiconductor - SCS110KE2C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad LAPIS Semiconductor - SCS110KE2C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.75V @ 5A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200V  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0ns  
imballaggio Tube  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max)  
Tipo montaggio Through Hole  
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)  
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant  
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Descrizione dettagliata Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 5A Through Hole TO-247-3  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100µA @ 1200V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 5A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di LAPIS Semiconductor SCS110KE2C

Proprietà del prodotto SCS110KE2C SCS120AE2C SCS120KE2C SCS110AG
Modello di prodotti SCS110KE2C SCS120AE2C SCS120KE2C SCS110AG
fabbricante LAPIS Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky - - -
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) -
Serie - - - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200V 600 V 1200 V -
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode -
Tempo di ripristino inverso (trr) 0ns 0 ns 0 ns -
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 5A 10A (DC) 10A (DC) -
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) -
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant - - -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours) - - -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 100µA @ 1200V 200 µA @ 600 V 200 µA @ 1200 V -
imballaggio Tube - - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.75V @ 5A 1.7 V @ 10 A 1.7 V @ 10 A -
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 TO-247 TO-247 -
Descrizione dettagliata Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 5A Through Hole TO-247-3 - - -

SCS110KE2C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SCS110KE2C PDF e la documentazione LAPIS Semiconductor per SCS110KE2C - LAPIS Semiconductor.

Specifiche
SCS110KE2.pdf Schottky Barrier Diode Part No. Explanation.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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