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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSCH2080KEC
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SCH2080KEC - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SCH2080KEC
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-SCH2080KEC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
SCH2080KEC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SCH2080KEC
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - SCH2080KEC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - SCH2080KEC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4.4mA  
Vgs (Max) +22V, -6V  
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 117mOhm @ 10A, 18V  
Dissipazione di potenza (max) 262W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 800 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 18 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base SCH2080  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor SCH2080KEC

Proprietà del prodotto SCH2080KEC SCH1601-A-TL-W SCH1436-TL-W SCH2080KE MOS
Modello di prodotti SCH2080KEC SCH1601-A-TL-W SCH1436-TL-W SCH2080KE MOS
fabbricante Rohm Semiconductor onsemi onsemi LAPIS Technology
Vgs (Max) +22V, -6V - ±20V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) - 1.8A (Ta) -
Tipo FET N-Channel - N-Channel -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V - 4V, 10V -
Dissipazione di potenza (max) 262W (Tc) - 800mW (Ta) -
Rds On (max) a Id, Vgs 117mOhm @ 10A, 18V - 180mOhm @ 900mA, 10V -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4.4mA - 2.6V @ 1mA -
Numero di prodotto di base SCH2080 SCH160 SCH143 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 800 V - 88 pF @ 10 V -
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V - 30 V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 18 V - 2 nC @ 10 V -
Serie - * - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 - SOT-563/SCH6 -
Contenitore / involucro TO-247-3 - SOT-563, SOT-666 -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) - MOSFET (Metal Oxide) -
temperatura di esercizio 175°C (TJ) - 150°C (TJ) -
Tipo montaggio Through Hole - Surface Mount -

SCH2080KEC Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SCH2080KEC PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per SCH2080KEC - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 1/Feb/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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