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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRZM002P02T2L
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RZM002P02T2L - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RZM002P02T2L
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RZM002P02T2L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-723
Scheda dati
RZM002P02T2L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 686900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RZM002P02T2L
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RZM002P02T2L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RZM002P02T2L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore VMT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-723  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Numero di prodotto di base RZM002  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RZM002P02T2L

Proprietà del prodotto RZM002P02T2L RJK03K0DPA-00#J5A NVD6495NLT4G FCP099N65S3
Modello di prodotti RZM002P02T2L RJK03K0DPA-00#J5A NVD6495NLT4G FCP099N65S3
fabbricante Rohm Semiconductor Renesas Electronics America Inc onsemi onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V - 50mOhm @ 10A, 10V 99mOhm @ 15A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) - 25A (Tc) 30A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 100µA - 2V @ 250µA 4.5V @ 3mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V - 100 V 650 V
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta) - 83W (Tc) 227W (Tc)
Vgs (Max) ±10V - ±20V ±30V
Serie - * Automotive, AEC-Q101 SuperFET® III
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V - 1024 pF @ 25 V 2480 pF @ 400 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V - 4.5V, 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore VMT3 - DPAK TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V - 35 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Tipo FET P-Channel - N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base RZM002 - NVD649 FCP099
Contenitore / involucro SOT-723 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RZM002P02T2L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RZM002P02T2L PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RZM002P02T2L - Rohm Semiconductor.

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