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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRZF013P01TL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RZF013P01TL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RZF013P01TL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RZF013P01TL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-SMD, Flat Leads
Scheda dati
RZF013P01TL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 318040

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RZF013P01TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RZF013P01TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RZF013P01TL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TUMT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.4 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta)  
Numero di prodotto di base RZF013  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RZF013P01TL

Proprietà del prodotto RZF013P01TL DMP3010LK3-13 RZF020P01TL RRS075P03TB1
Modello di prodotti RZF013P01TL DMP3010LK3-13 RZF020P01TL RRS075P03TB1
fabbricante Rohm Semiconductor Diodes Incorporated Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TUMT3 TO-252-3 TUMT3 8-SOIC
Rds On (max) a Id, Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V 8mOhm @ 10A, 10V 105mOhm @ 2A, 4.5V -
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta) 1.7W (Ta) 800mW (Ta) -
Serie - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 6 V 6234 pF @ 15 V 770 pF @ 6 V -
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 30 V 12 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.5V, 4.5V -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 2.1V @ 250µA 1V @ 1mA -
Numero di prodotto di base RZF013 DMP3010 RZF020 -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta) 17A (Ta) 2A (Ta) 7.5A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.4 nC @ 4.5 V 59.2 nC @ 4.5 V 6.5 nC @ 4.5 V -
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Contenitore / involucro 3-SMD, Flat Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 3-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RZF013P01TL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RZF013P01TL PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RZF013P01TL - Rohm Semiconductor.

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