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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRYC002N05T316
RYC002N05T316 Image
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RYC002N05T316 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RYC002N05T316
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RYC002N05T316
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 445200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RYC002N05T316
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RYC002N05T316, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RYC002N05T316

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 800mV @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SST3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Numero di prodotto di base RYC002  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RYC002N05T316

Proprietà del prodotto RYC002N05T316 RD3G600GNTL RYC8635-1M RYC8240-2WM
Modello di prodotti RYC002N05T316 RD3G600GNTL RYC8635-1M RYC8240-2WM
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Raychem Cable Protection/TE Connectivity Littelfuse Inc.
Serie - - - PolySwitch®
Vgs (Max) ±8V ±20V - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -40°C ~ 85°C (TA)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 60A (Ta) - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Tc) 40W (Ta) - -
Tensione drain-source (Vdss) 50 V 40 V - -
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 4.5V, 10V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 3.6mOhm @ 60A, 10V - -
Vgs (th) (max) a Id 800mV @ 1mA 2.5V @ 1mA - -
Numero di prodotto di base RYC002 RD3G600 - RYC8240
Contenitore dispositivo fornitore SST3 TO-252 - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V 3400 pF @ 20 V - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RYC002N05T316 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RYC002N05T316 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RYC002N05T316 - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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