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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRXH090N03TB1
RXH090N03TB1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RXH090N03TB1 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RXH090N03TB1
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RXH090N03TB1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
RXH090N03TB1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 72910

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RXH090N03TB1
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RXH090N03TB1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RXH090N03TB1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)  
Numero di prodotto di base RXH090  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RXH090N03TB1

Proprietà del prodotto RXH090N03TB1 IRFPG30 FDPF4N60NZ DMP2541UCB9-7
Modello di prodotti RXH090N03TB1 IRFPG30 FDPF4N60NZ DMP2541UCB9-7
fabbricante Rohm Semiconductor Vishay Siliconix onsemi Diodes Incorporated
Serie - - UniFET-II™ -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 5 V 80 nC @ 10 V 10.8 nC @ 10 V 7 nC @ 4.5 V
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V 5Ohm @ 1.9A, 10V 2.5Ohm @ 1.9A, 10V 40mOhm @ 2A, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 10 V 980 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 850 pF @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 10V 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) 3.1A (Tc) 3.8A (Tc) 3.9A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 1000 V 600 V 25 V
Numero di prodotto di base RXH090 IRFPG30 FDPF4 DMP2541
temperatura di esercizio 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP TO-247AC TO-220F-3 U-WLB1515-9
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 125W (Tc) 28W (Tc) 940mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V -6V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-247-3 TO-220-3 Full Pack 9-UFBGA, WLBGA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Rohm Semiconductor
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