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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRV2C010UNT2L
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RV2C010UNT2L - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RV2C010UNT2L
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RV2C010UNT2L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-101, SOT-883
Scheda dati
RV2C010UNT2L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 518100

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RV2C010UNT2L
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RV2C010UNT2L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RV2C010UNT2L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore VML1006  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 470mOhm @ 500mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-101, SOT-883  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)  
Numero di prodotto di base RV2C010  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RV2C010UNT2L

Proprietà del prodotto RV2C010UNT2L RV2C002UNT2L RV2C014BCT2CL RV2C001ZPT2L
Modello di prodotti RV2C010UNT2L RV2C002UNT2L RV2C014BCT2CL RV2C001ZPT2L
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) 180mA (Ta) 700mA (Ta) 100mA (Ta)
Contenitore / involucro SC-101, SOT-883 SC-101, SOT-883 3-XFDFN SC-101, SOT-883
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.2V, 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 470mOhm @ 500mA, 4.5V 2Ohm @ 150mA, 4.5V 300mOhm @ 1.4A, 4.5V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Serie - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Numero di prodotto di base RV2C010 RV2C002 RV2C014 RV2C001
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 100µA
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore VML1006 VML1006 DFN1006-3 VML1006
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±8V ±10V ±8V ±10V
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta) 100mW (Ta) 400mW (Ta) 100mW (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 12 pF @ 10 V 100 pF @ 10 V 15 pF @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RV2C010UNT2L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RV2C010UNT2L PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RV2C010UNT2L - Rohm Semiconductor.

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