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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RV1C001ZPT2L - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RV1C001ZPT2L
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RV1C001ZPT2L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Descrizione dettagliata
Pacchetto
3-SMD, No Lead
Scheda dati
RV1C001ZPT2L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 609750

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RV1C001ZPT2L
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RV1C001ZPT2L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RV1C001ZPT2L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore VML0806  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 100mW (Ta)  
Contenitore / involucro 3-SMD, No Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)  
Numero di prodotto di base RV1C001  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RV1C001ZPT2L

Proprietà del prodotto RV1C001ZPT2L FQA65N20 FDT461N RV1C002UNT2CL
Modello di prodotti RV1C001ZPT2L FQA65N20 FDT461N RV1C002UNT2CL
fabbricante Rohm Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Rohm Semiconductor
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 100µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 100µA
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta) 65A (Tc) 540mA (Ta) 150mA (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore VML0806 TO-3PN SOT-223-4 VML0806
Contenitore / involucro 3-SMD, No Lead TO-3P-3, SC-65-3 TO-261-4, TO-261AA 3-SMD, No Lead
Vgs (Max) ±10V ±30V ±20V ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V 7900 pF @ 25 V 74 pF @ 25 V 12 pF @ 10 V
Serie - QFET® PowerTrench® -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 100mW (Ta) 310W (Tc) 1.13W (Ta) 100mW (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 200 V 100 V 20 V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 32mOhm @ 32.5A, 10V 2Ohm @ 540mA, 10V 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 10V 4.5V, 10V 1.2V, 4.5V
Numero di prodotto di base RV1C001 - - RV1C002
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

RV1C001ZPT2L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RV1C001ZPT2L PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RV1C001ZPT2L - Rohm Semiconductor.

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