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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRT1A050ZPTR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RT1A050ZPTR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RT1A050ZPTR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RT1A050ZPTR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
RT1A050ZP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 95650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RT1A050ZPTR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RT1A050ZPTR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RT1A050ZPTR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSST  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)  
Numero di prodotto di base RT1A050  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RT1A050ZPTR

Proprietà del prodotto RT1A050ZPTR RT1529 RT1N137P-T11-1 RT1715WSC
Modello di prodotti RT1A050ZPTR RT1529 RT1N137P-T11-1 RT1715WSC
fabbricante Rohm Semiconductor RATO ISAHAYA Richtek USA Inc.
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 6 V - - -
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 12 V - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSST - - 9-WLCSP (1.38x1.34)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Numero di prodotto di base RT1A050 - - RT1715
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta) - - -
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead - - 9-UFBGA, WLCSP
Vgs (Max) ±10V - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V - - -
Tipo FET P-Channel - - -

RT1A050ZPTR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RT1A050ZPTR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RT1A050ZPTR - Rohm Semiconductor.

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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