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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRSU002P03T106
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RSU002P03T106 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSU002P03T106
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSU002P03T106
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
RSU002P03T106.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 309350

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RSU002P03T106
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSU002P03T106, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSU002P03T106

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore UMT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 250mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta)  
Numero di prodotto di base RSU002  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSU002P03T106

Proprietà del prodotto RSU002P03T106 FQD12P10TF SI4134DY-T1-E3 DMN3150L-7
Modello di prodotti RSU002P03T106 FQD12P10TF SI4134DY-T1-E3 DMN3150L-7
fabbricante Rohm Semiconductor onsemi Vishay Siliconix Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±12V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta) 9.4A (Tc) 14A (Tc) 3.8A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V 800 pF @ 25 V 846 pF @ 15 V 305 pF @ 5 V
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 1.4W (Ta)
Numero di prodotto di base RSU002 FQD1 SI4134 DMN3150
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 10V 2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 100 V 30 V 28 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 250mA, 10V 290mOhm @ 4.7A, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore UMT3 TO-252AA 8-SOIC SOT-23-3
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - QFET® TrenchFET® -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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