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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRSS070N05TB1
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

RSS070N05TB1 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSS070N05TB1
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSS070N05TB1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
RSS070N05TB1.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5010

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche RSS070N05TB1
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSS070N05TB1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSS070N05TB1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 45 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSS070N05TB1

Proprietà del prodotto RSS070N05TB1 RSS065N06FRATB RSS065N06FU6TB RSS075P03FU6TB
Modello di prodotti RSS070N05TB1 RSS065N06FRATB RSS065N06FU6TB RSS075P03FU6TB
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta) 6.5A (Ta) 6.5A (Ta) 7.5A (Ta)
temperatura di esercizio 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V 37mOhm @ 6.5A, 10V 37mOhm @ 6.5A, 10V 21mOhm @ 7.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V 900 pF @ 10 V 900 pF @ 10 V 2900 pF @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 45 V 60 V 60 V 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 30 nC @ 5 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V 20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP

RSS070N05TB1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RSS070N05TB1 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RSS070N05TB1 - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 26/Jan/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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