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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRSJ250P10FRATL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RSJ250P10FRATL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RSJ250P10FRATL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RSJ250P10FRATL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
RSJ250P10FRATL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 41796

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RSJ250P10FRATL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RSJ250P10FRATL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RSJ250P10FRATL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LPTS  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 63mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 50W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta)  
Numero di prodotto di base RSJ250  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RSJ250P10FRATL

Proprietà del prodotto RSJ250P10FRATL C3M0075120D STD60NF06T4 FCPF380N60E
Modello di prodotti RSJ250P10FRATL C3M0075120D STD60NF06T4 FCPF380N60E
fabbricante Rohm Semiconductor Wolfspeed, Inc. STMicroelectronics Fairchild Semiconductor
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 4V @ 5mA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
temperatura di esercizio 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 15V 10V 10V
Serie Automotive, AEC-Q101 C3M™ STripFET™ II SuperFET® II
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta) 30A (Tc) 60A (Tc) 10.2A (Tc)
Vgs (Max) ±20V +19V, -8V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base RSJ250 C3M0075120 STD60 FCPF380
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 25 V 1350 pF @ 1000 V 1810 pF @ 25 V 1770 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 1200 V 60 V 600 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore LPTS TO-247-3 DPAK TO-220F
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 50W (Ta) 113.6W (Tc) 110W (Tc) 31W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V 54 nC @ 15 V 66 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 63mOhm @ 25A, 10V 90mOhm @ 20A, 15V 16mOhm @ 30A, 10V 380mOhm @ 5A, 10V

RSJ250P10FRATL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RSJ250P10FRATL PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RSJ250P10FRATL - Rohm Semiconductor.

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