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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRRH140P03GZETB
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RRH140P03GZETB - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RRH140P03GZETB
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RRH140P03GZETB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
RRH140P03GZETB.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 34449

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RRH140P03GZETB
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RRH140P03GZETB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RRH140P03GZETB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 650mW (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta)  
Numero di prodotto di base RRH140  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RRH140P03GZETB

Proprietà del prodotto RRH140P03GZETB RRH050P03TB1 RRH040P03TB1 RRH100P03GZETB
Modello di prodotti RRH140P03GZETB RRH050P03TB1 RRH040P03TB1 RRH100P03GZETB
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Numero di prodotto di base RRH140 RRH050 RRH040 RRH100
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 650mW (Ta) 650mW (Ta) 650mW (Ta) 650mW (Ta)
Serie - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta) 5A (Ta) 4A (Ta) 10A (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8000 pF @ 10 V 850 pF @ 10 V 480 pF @ 10 V 3600 pF @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Rds On (max) a Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V 50mOhm @ 5A, 10V 75mOhm @ 4A, 10V 12.6mOhm @ 10A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 9.2 nC @ 5 V 5.2 nC @ 5 V 68 nC @ 10 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RRH140P03GZETB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RRH140P03GZETB PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RRH140P03GZETB - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf

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