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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloRRE02VSM4STR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RRE02VSM4STR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RRE02VSM4STR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RRE02VSM4STR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GP 400V 200MA TUMD2SM
Descrizione dettagliata
Pacchetto
2-SMD, Flat Lead
Scheda dati
RRE02VSM4STR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 307400

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RRE02VSM4STR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RRE02VSM4STR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RRE02VSM4STR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1 V @ 200 mA  
Tensione - inversa (Vr) (max) 400 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore TUMD2SM  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro 2-SMD, Flat Lead  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 400 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 200mA  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base RRE02  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RRE02VSM4STR

Proprietà del prodotto RRE02VSM4STR BAV21W-G3-08 1N3889 NTE5896
Modello di prodotti RRE02VSM4STR BAV21W-G3-08 1N3889 NTE5896
fabbricante Rohm Semiconductor Vishay General Semiconductor - Diodes Division GeneSiC Semiconductor NTE Electronics, Inc
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tensione - inversa (Vr) (max) 400 V 200 V 50 V 200 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max) 175°C (Max) -65°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C
Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 400 V 100 nA @ 150 V 25 µA @ 50 V 12 mA @ 200 V
Capacità a Vr, F - 1.5pF @ 0V, 1MHz - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bag
Corrente - raddrizzata media (Io) 200mA 250mA 12A 16A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Chassis, Stud Mount Stud Mount
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1 V @ 200 mA 1 V @ 100 mA 1.4 V @ 12 A 1.23 V @ 50 A
Numero di prodotto di base RRE02 BAV21 1N3889 -
Contenitore / involucro 2-SMD, Flat Lead SOD-123 DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TUMD2SM SOD-123 DO-4 DO-4

RRE02VSM4STR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RRE02VSM4STR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RRE02VSM4STR - Rohm Semiconductor.

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Diode Flammability.pdf
Informazioni ambientali
Diode Whisker Info.pdf Diode Level 1 MSL.pdf RRE02VSM4STR ESD Data.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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