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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRQ3E160ADTB
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RQ3E160ADTB - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RQ3E160ADTB
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RQ3E160ADTB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
RQ3E160ADTB.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 117860

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RQ3E160ADTB
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RQ3E160ADTB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RQ3E160ADTB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-HSMT (3.2x3)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 16A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2550 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)  
Numero di prodotto di base RQ3E160  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RQ3E160ADTB

Proprietà del prodotto RQ3E160ADTB RQ3E130MNTB1 RQ3E180GNTB RQ3E120GNTB
Modello di prodotti RQ3E160ADTB RQ3E130MNTB1 RQ3E180GNTB RQ3E120GNTB
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Serie - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5mOhm @ 16A, 10V 8.1mOhm @ 13A, 10V 4.3mOhm @ 18A, 10V 8.8mOhm @ 12A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2550 pF @ 15 V 840 pF @ 15 V 1520 pF @ 15 V 590 pF @ 15 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta) 13A (Ta) 18A (Ta) 12A (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 22.4 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base RQ3E160 RQ3E130 RQ3E180 RQ3E120
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3) 8-HSMT (3.2x3)

RQ3E160ADTB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RQ3E160ADTB PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RQ3E160ADTB - Rohm Semiconductor.

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