Specifiche
Specifiche tecnologiche RGPR30NS40HRTL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RGPR30NS40HRTL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RGPR30NS40HRTL
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
LAPIS Technology |
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| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) |
430 V |
|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic |
2.0V @ 5V, 10A |
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| Condizione di test |
300V, 8A, 100Ohm, 5V |
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| Td (on / off) @ 25 ° C |
500ns/4µs |
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| di scambio energetico |
- |
|
| Contenitore dispositivo fornitore |
LPDS |
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| Serie |
Automotive, AEC-Q101 |
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| Potenza - Max |
125 W |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| Contenitore / involucro |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| temperatura di esercizio |
-40°C ~ 175°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
|
| Tipo di ingresso |
Standard |
|
| Tipo IGBT |
- |
|
| carica gate |
22 nC |
|
| Corrente - collettore (Ic) (max) |
30 A |
|
| Numero di prodotto di base |
RGPR30 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
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RGP30J-E3/51Electro-Films (EFI) / Vishay
RGP15DNTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 1.5A DO201AD
RGP10M-M3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
RGP30J-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
RGP15D-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC