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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRDR005N25TL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
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 Collezione

RDR005N25TL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RDR005N25TL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RDR005N25TL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-96
Scheda dati
RDR005N25TL.pdf
Stato RoHS
Confronto
In magazzino: 95620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RDR005N25TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RDR005N25TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RDR005N25TL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.8Ohm @ 250mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 540mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-96  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)  
Numero di prodotto di base RDR005  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RDR005N25TL

Proprietà del prodotto RDR005N25TL NTD95N02RG DMPH6050SFGQ-7 SI3456CDV-T1-GE3
Modello di prodotti RDR005N25TL NTD95N02RG DMPH6050SFGQ-7 SI3456CDV-T1-GE3
fabbricante Rohm Semiconductor onsemi Diodes Incorporated Vishay Siliconix
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Serie - - Automotive, AEC-Q101 TrenchFET®
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Numero di prodotto di base RDR005 NTD95 DMPH6050 SI3456
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 25 V 2400 pF @ 20 V 1293 pF @ 30 V 460 pF @ 15 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta) 12A (Ta), 32A (Tc) 6.1A (Ta), 18A (Tc) 7.7A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 540mW (Ta) 1.25W (Ta), 86W (Tc) 1.2W (Ta) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 10 V 21 nC @ 4.5 V 24.1 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 8.8Ohm @ 250mA, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 50mOhm @ 7A, 10V 34mOhm @ 6.1A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TSMT3 DPAK PowerDI3333-8 6-TSOP
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 24 V 60 V 30 V
Contenitore / involucro SC-96 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerVDFN SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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