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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRDD020N60TL
RDD020N60TL Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RDD020N60TL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RDD020N60TL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RDD020N60TL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
RDD020N60.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 62880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RDD020N60TL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RDD020N60TL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RDD020N60TL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore CPT3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Numero di prodotto di base RDD020  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RDD020N60TL

Proprietà del prodotto RDD020N60TL FDD6682 RJK1056DPB-00#J5 STL4N80K5
Modello di prodotti RDD020N60TL FDD6682 RJK1056DPB-00#J5 STL4N80K5
fabbricante Rohm Semiconductor onsemi Renesas Electronics America Inc STMicroelectronics
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SC-100, SOT-669 8-PowerVDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id - 3V @ 250µA - 5V @ 100µA
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc) 71W (Ta) 65W (Tc) 38W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs - 6.2mOhm @ 17A, 10V 14mOhm @ 12.5A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore CPT3 TO-252AA LFPAK PowerFlat™ (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 75A (Ta) 25A (Ta) 2.5A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 30 V 100 V 800 V
Numero di prodotto di base RDD020 FDD668 RJK1056 STL4N80
Serie - PowerTrench® - SuperMESH5™

RDD020N60TL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RDD020N60TL PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RDD020N60TL - Rohm Semiconductor.

Schede tecniche
RDD020N60.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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