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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

RB886GT2R - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RB886GT2R
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-RB886GT2R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 5V 10MA VMD2
Pacchetto
SOD-723
Scheda dati
VMD2 T2R Taping Spec.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3700

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche RB886GT2R
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - RB886GT2R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - RB886GT2R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 350 mV @ 1 mA  
Tensione - inversa (Vr) (max) 5 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore VMD2  
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Serie -  
Contenitore / involucro SOD-723  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 125°C (Max)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 120 µA @ 5 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 10mA  
Capacità a Vr, F 0.8pF @ 1V, 1MHz  
Numero di prodotto di base RB886G  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor RB886GT2R

Proprietà del prodotto RB886GT2R PMEG6030ETPX RB82S153/BRA RB80526PZ001256 SL52R
Modello di prodotti RB886GT2R PMEG6030ETPX RB82S153/BRA RB80526PZ001256 SL52R
fabbricante Rohm Semiconductor Nexperia USA Inc. S Intel
Corrente - Dispersione inversa a Vr 120 µA @ 5 V 200 µA @ 60 V - -
Contenitore dispositivo fornitore VMD2 SOD-128/CFP5 - -
Serie - - - -
Numero di prodotto di base RB886G PMEG6030 - -
Corrente - raddrizzata media (Io) 10mA 3A - -
Tecnologia Schottky Schottky - -
Temperatura di funzionamento - Giunzione 125°C (Max) 175°C (Max) - -
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - -
Capacità a Vr, F 0.8pF @ 1V, 1MHz 360pF @ 1V, 1MHz - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 350 mV @ 1 mA 530 mV @ 3 A - -
Contenitore / involucro SOD-723 SOD-128 - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 5 V 60 V - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -

RB886GT2R Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RB886GT2R PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per RB886GT2R - Rohm Semiconductor.

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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RB886GT2R

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