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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloR8010ANX
R8010ANX Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

R8010ANX - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
R8010ANX
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-R8010ANX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
R8010ANX.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17058

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche R8010ANX
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - R8010ANX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - R8010ANX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FM  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 560mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base R8010  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor R8010ANX

Proprietà del prodotto R8010ANX R80188 R8025SA R800CH14C2H0
Modello di prodotti R8010ANX R80188 R8025SA R800CH14C2H0
fabbricante Rohm Semiconductor Advanced Micro Devices Epson WESTCODE
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FM 68-CLCC (24.13x24.13) - -
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack 68-CLCC - -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) - - -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) - - -
Pacchetto Bulk Bulk - -
Tensione drain-source (Vdss) 800 V - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 25 V - - -
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 0°C ~ 70°C (TA) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 560mOhm @ 5A, 10V - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 1mA - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Numero di prodotto di base R8010 - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V - - -

R8010ANX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica R8010ANX PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per R8010ANX - Rohm Semiconductor.

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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