Specifiche
Specifiche tecnologiche R6035KNZ1C9
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - R6035KNZ1C9, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - R6035KNZ1C9
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
LAPIS Technology |
|
| Vgs (th) (max) a Id |
5V @ 1mA |
|
| Vgs (Max) |
±20V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
|
| Contenitore dispositivo fornitore |
TO-247 |
|
| Serie |
- |
|
| Rds On (max) a Id, Vgs |
102mOhm @ 18.1A, 10V |
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| Dissipazione di potenza (max) |
379W (Tc) |
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| Contenitore / involucro |
TO-247-3 |
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| Pacchetto |
Tube |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Through Hole |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
3000 pF @ 25 V |
|
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
72 nC @ 10 V |
|
| Tipo FET |
N-Channel |
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| Caratteristica FET |
- |
|
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
| Tensione drain-source (Vdss) |
600 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
35A (Tc) |
|
| Numero di prodotto di base |
R6035 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
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R6031225Powerex, Inc.IGBT Module
R60PF2100AA30JKEMETCAP FILM 10000PF 5% 630VDC RAD
R60MI3100AA30KKEMETCAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
R60PI3100AA30JKEMETCAP FILM 0.1UF 5% 630VDC RAD