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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloR6020ANZC8
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

R6020ANZC8 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
R6020ANZC8
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-R6020ANZC8
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3 Full Pack
Scheda dati
R6020ANZC8.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche R6020ANZC8
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - R6020ANZC8, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - R6020ANZC8

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 4.15V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PF  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 220mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor R6020ANZC8

Proprietà del prodotto R6020ANZC8 R6020ENX R6020KNJTL R6020JNZC8
Modello di prodotti R6020ANZC8 R6020ENX R6020KNJTL R6020JNZC8
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Vgs (th) (max) a Id 4.15V @ 1mA 4V @ 1mA 5V @ 1mA 7V @ 3.5mA
Serie - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Contenitore / involucro TO-3P-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 15V
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) 50W (Tc) 231W (Tc) 76W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 220mOhm @ 10A, 10V 196mOhm @ 10A, 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 234mOhm @ 10A, 15V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 45 nC @ 15 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta) 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PF TO-220FM LPTS TO-3PF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V 1500 pF @ 100 V

R6020ANZC8 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica R6020ANZC8 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per R6020ANZC8 - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 26/Jan/2020.pdf R6xxxxNZC8 03/Dec/2019.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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