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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloR6018JNJGTL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

R6018JNJGTL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
R6018JNJGTL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-R6018JNJGTL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
R6018JNJGTL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17958

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche R6018JNJGTL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - R6018JNJGTL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - R6018JNJGTL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 7V @ 4.2mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LPTS  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 286mOhm @ 9A, 15V  
Dissipazione di potenza (max) 220W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 15 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)  
Numero di prodotto di base R6018  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor R6018JNJGTL

Proprietà del prodotto R6018JNJGTL R6018JNXC7G R6015ANX R6015KNX
Modello di prodotti R6018JNJGTL R6018JNXC7G R6015ANX R6015KNX
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 7V @ 4.2mA 7V @ 4.2mA 4.5V @ 1mA 5V @ 1mA
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 15 V 42 nC @ 15 V 50 nC @ 10 V 27.5 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 100 V 1300 pF @ 100 V 1700 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Contenitore dispositivo fornitore LPTS TO-220FM TO-220FM TO-220FM
Dissipazione di potenza (max) 220W (Tc) 72W (Tc) 50W (Tc) 60W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Bulk
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Numero di prodotto di base R6018 R6018 R6015 R6015
Rds On (max) a Id, Vgs 286mOhm @ 9A, 15V 286mOhm @ 9A, 15V 300mOhm @ 7.5A, 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V 15V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) 18A (Tc) 15A (Ta) 15A (Tc)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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