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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matriciQSZ4TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

QSZ4TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
QSZ4TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-QSZ4TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Scheda dati
QSZ4TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 192630

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche QSZ4TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - QSZ4TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - QSZ4TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 370mV @ 75mA, 1.5A  
Tipo transistor NPN, PNP (Emitter Coupled)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT5  
Serie -  
Potenza - Max 500mW  
Contenitore / involucro SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 280MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 2A  
Numero di prodotto di base QSZ4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor QSZ4TR

Proprietà del prodotto QSZ4TR NST3906DP6T5G ZDT6757TA DMA506010R
Modello di prodotti QSZ4TR NST3906DP6T5G ZDT6757TA DMA506010R
fabbricante Rohm Semiconductor onsemi Diodes Incorporated Panasonic Electronic Components
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) - 100nA (ICBO) 100µA
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TSMT5 SOT-963 SM8 SMini6-F3-B
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 370mV @ 75mA, 1.5A 400mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 10mA, 100mA 500mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor NPN, PNP (Emitter Coupled) 2 PNP (Dual) NPN, PNP 2 PNP (Dual)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenza - transizione 280MHz 250MHz 30MHz 150MHz
Contenitore / involucro SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-963 SOT-223-8 6-SMD, Flat Leads
Potenza - Max 500mW 350mW 2.75W 300mW
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA, 2V 100 @ 10mA, 1V 50 @ 100mA, 5V 210 @ 2mA, 10V
Corrente - collettore (Ic) (max) 2A 200mA 500mA 100mA
Numero di prodotto di base QSZ4 NST3906 ZDT6757 DMA50601
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30V 40V 300V 50V
Serie - - - -

QSZ4TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica QSZ4TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per QSZ4TR - Rohm Semiconductor.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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