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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciQS5K2TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

QS5K2TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
QS5K2TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-QS5K2TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Scheda dati
QS5K2TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 162150

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche QS5K2TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - QS5K2TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - QS5K2TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT5  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V  
Potenza - Max 1.25W  
Contenitore / involucro SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Source  
Numero di prodotto di base QS5K2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor QS5K2TR

Proprietà del prodotto QS5K2TR QS5U12 QS5U12TR QS5920APA
Modello di prodotti QS5K2TR QS5U12 QS5U12TR QS5920APA
fabbricante Rohm Semiconductor LAPIS Technology Rohm Semiconductor QS
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - 150°C (TJ) -
Caratteristica FET Logic Level Gate - Schottky Diode (Isolated) -
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A - 2A (Ta) -
Tensione drain-source (Vdss) 30V - 30 V -
Potenza - Max 1.25W - - -
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V - 3.9 nC @ 4.5 V -
Contenitore dispositivo fornitore TSMT5 - TSMT5 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) -
Numero di prodotto di base QS5K2 - QS5U12 -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Source - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA - 1.5V @ 1mA -
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V - 100mOhm @ 2A, 4.5V -
Contenitore / involucro SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 - SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 10V - 175 pF @ 10 V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -

QS5K2TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica QS5K2TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per QS5K2TR - Rohm Semiconductor.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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