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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciHP8S36TB
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HP8S36TB - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
HP8S36TB
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-HP8S36TB
Modello ECAD
Descrizione delle parti
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
HP8S36TB.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 43710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HP8S36TB
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - HP8S36TB, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - HP8S36TB

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore 8-HSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V  
Potenza - Max 29W  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A, 80A  
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base HP8S36  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor HP8S36TB

Proprietà del prodotto HP8S36TB HP8K24TB ECH8601M-C-TL-H UP04878G0L
Modello di prodotti HP8S36TB HP8K24TB ECH8601M-C-TL-H UP04878G0L
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Panasonic Electronic Components
Caratteristica FET - - Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A, 80A 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc) 8A 100mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 24V 50V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-SMD, Flat Lead SOT-563, SOT-666
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA - 1.5V @ 1µA
Potenza - Max 29W 3W (Ta) 1.5W 125mW
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 15V 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V - 12pF @ 3V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V 23mOhm @ 4A, 4.5V 12Ohm @ 10mA, 4V
Contenitore dispositivo fornitore 8-HSOP 8-HSOP 8-ECH SSMini6-F2
Numero di prodotto di base HP8S36 HP8K24 ECH8601 UP04878
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V 10nC @ 10V, 36nC @ 10V 7.5nC @ 4.5V -
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 125°C (TJ)

HP8S36TB Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HP8S36TB PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per HP8S36TB - Rohm Semiconductor.

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