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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoEMD53T2R
EMD53T2R Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

EMD53T2R - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
EMD53T2R
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-EMD53T2R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
EMD53T2R.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 386900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche EMD53T2R
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - EMD53T2R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - EMD53T2R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA  
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore EMT6  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms  
Resistor - Base (R1) 10kOhms  
Potenza - Max 150mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base EMD53  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor EMD53T2R

Proprietà del prodotto EMD53T2R EMD4T2R EMD4DXV6T5G EMD6T2R
Modello di prodotti EMD53T2R EMD4T2R EMD4DXV6T5G EMD6T2R
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore EMT6 EMT6 SOT-563 EMT6
Potenza - Max 150mW 150mW 500mW 150mW
Serie - - - -
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V 68 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 100 @ 1mA, 5V
Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms 47kOhms 47kOhms -
Frequenza - transizione 250MHz 250MHz - 250MHz
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 500nA 500nA -
Numero di prodotto di base EMD53 EMD4T2 EMD4DXV6 EMD6T2
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V 50V 50V 50V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1) 10kOhms 47kOhms, 10kOhms 47kOhms, 10kOhms 4.7kOhms
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA

EMD53T2R Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica EMD53T2R PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per EMD53T2R - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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