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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciEM6K7T2R
EM6K7T2R Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

EM6K7T2R - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
EM6K7T2R
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-EM6K7T2R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
EM6K7T2R.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 239170

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche EM6K7T2R
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - EM6K7T2R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - EM6K7T2R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore EMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V  
Potenza - Max 150mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base EM6K7  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor EM6K7T2R

Proprietà del prodotto EM6K7T2R EM6K34T2CR EM6M1T2R EM6M2T2R
Modello di prodotti EM6K7T2R EM6K34T2CR EM6M1T2R EM6M2T2R
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Potenza - Max 150mW 120mW 150mW 150mW
Tensione drain-source (Vdss) 20V 50V 30V, 20V 20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 8Ohm @ 10mA, 4V 1Ohm @ 200mA, 4V
Numero di prodotto di base EM6K7 EM6K34 EM6M1 EM6M2
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - 0.9nC @ 4.5V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V 26pF @ 10V 13pF @ 5V 25pF @ 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 0.9V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 800mV @ 1mA - 1V @ 1mA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA 200mA 100mA, 200mA 200mA
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

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metodo di consegna

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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EM6K7T2R

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