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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - singolo, pre -poialatoDTC023YEBTL
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

DTC023YEBTL - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
DTC023YEBTL
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-DTC023YEBTL
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-89, SOT-490
Scheda dati
DTA114EEFRA.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 712200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche DTC023YEBTL
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - DTC023YEBTL, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - DTC023YEBTL

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA  
Tipo transistor NPN - Pre-Biased  
Contenitore dispositivo fornitore EMT3F (SOT-416FL)  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms  
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms  
Potenza - Max 150 mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SC-89, SOT-490  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250 MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) -  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA  
Numero di prodotto di base DTC023  

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Proprietà del prodotto DTC023YEBTL DTC024EEBTL DTC023YMT2L DTC024EMT2L
Modello di prodotti DTC023YEBTL DTC024EEBTL DTC023YMT2L DTC024EMT2L
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Contenitore dispositivo fornitore EMT3F (SOT-416FL) EMT3F (SOT-416FL) VMT3 VMT3
Contenitore / involucro SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SOT-723 SOT-723
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Numero di prodotto di base DTC023 DTC024 DTC023 DTC024
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms 22 kOhms 2.2 kOhms 22 kOhms
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA 30 mA 100 mA 30 mA
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Potenza - Max 150 mW 150 mW 150 mW 150 mW
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms 22 kOhms 10 kOhms 22 kOhms
Frequenza - transizione 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Cutoff collettore (max) - - - -
Tipo transistor NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA

DTC023YEBTL Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica DTC023YEBTL PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per DTC023YEBTL - Rohm Semiconductor.

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Schede tecniche
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Europa Germania 5
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