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BS2103F-E2 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
BS2103F-E2
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-BS2103F-E2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.173', 4.40mm Width)
Scheda dati
BS2103F-E2.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5980

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BS2103F-E2
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - BS2103F-E2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - BS2103F-E2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 18V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 200ns, 100ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173', 4.40mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2.6V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 60mA, 130mA  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base BS2103  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor BS2103F-E2

Proprietà del prodotto BS2103F-E2 BS2600N-C BS2600N-A BS200H
Modello di prodotti BS2103F-E2 BS2600N-C BS2600N-A BS200H
fabbricante Rohm Semiconductor BENCENT BENCENT VIKINTEK
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP - - -
Configurazione guidata Half-Bridge - - -
Frequenza di ingresso 2 - - -
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V - - -
Serie - - - -
Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2.6V - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Numero di prodotto di base BS2103 - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) - - -
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 60mA, 130mA - - -
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent - - -
Tensione di alimentazione - 10V ~ 18V - - -
Tipo di ingresso Non-Inverting - - -
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.173', 4.40mm Width) - - -
Tempo di salita / scadenza (Typ) 200ns, 100ns - - -

BS2103F-E2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BS2103F-E2 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per BS2103F-E2 - Rohm Semiconductor.

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Rohm Semiconductor
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