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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matriciBA12004BF-E2
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BA12004BF-E2 - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
BA12004BF-E2
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-BA12004BF-E2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS 7NPN DARL 60V 0.5A 16SOP
Pacchetto
16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
BA12003B(F), BA12004B(F).pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4330

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BA12004BF-E2
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - BA12004BF-E2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - BA12004BF-E2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA  
Tipo transistor 7 NPN Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOP  
Serie -  
Potenza - Max 620mW  
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) -  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA  
Numero di prodotto di base BA12004  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor BA12004BF-E2

Proprietà del prodotto BA12004BF-E2 BA1117FP-E2 BA12003 BA12003B
Modello di prodotti BA12004BF-E2 BA1117FP-E2 BA12003 BA12003B
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology Rohm Semiconductor
Tipo transistor 7 NPN Darlington - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) - - - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOP TO-252 - 16-DIP
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) -20°C ~ 105°C - -25°C ~ 75°C
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V - - -
Potenza - Max 620mW - - -
Serie - - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60V - - -
Frequenza - transizione - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tube
Numero di prodotto di base BA12004 BA1117 - BA12003
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - 16-DIP (0.300', 7.62mm)

BA12004BF-E2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BA12004BF-E2 PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per BA12004BF-E2 - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jan/2019.pdf BA12003BF/BA12004BF 25/Sep/2018.pdf
Schede tecniche
BA12003B(F), BA12004B(F).pdf
Altri documenti correlati
BA12004BF-E2 Flammability.pdf
Informazioni ambientali
BA12004BF-E2 Whisker Info.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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BA12004BF-E2

Rohm Semiconductor
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