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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2SB1308T100P
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SB1308T100P - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
2SB1308T100P
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-2SB1308T100P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 20V 3A MPT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-243AA
Scheda dati
2SB1308.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SB1308T100P
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - 2SB1308T100P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - 2SB1308T100P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 20 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 450mV @ 150mA, 1.5A  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore MPT3  
Serie -  
Potenza - Max 2 W  
Contenitore / involucro TO-243AA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 120MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 82 @ 500mA, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A  
Numero di prodotto di base 2SB1308  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor 2SB1308T100P

Proprietà del prodotto 2SB1308T100P 2SB1308T100R 2SB1316TL 2SB1302T-TD-E
Modello di prodotti 2SB1308T100P 2SB1308T100R 2SB1316TL 2SB1302T-TD-E
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 82 @ 500mA, 2V 180 @ 500mA, 2V 1000 @ 1A, 2V 100 @ 500mA, 2V
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 20 V 20 V 100 V 20 V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) 10µA (ICBO) 500nA (ICBO)
Tipo transistor PNP PNP PNP - Darlington PNP
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A 3 A 2 A 5 A
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-243AA TO-243AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-243AA
Frequenza - transizione 120MHz 120MHz 50MHz 320MHz
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 450mV @ 150mA, 1.5A 450mV @ 150mA, 1.5A 1.5V @ 1mA, 1A 500mV @ 60mA, 3A
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore MPT3 MPT3 CPT3 PCP
Serie - - - -
Numero di prodotto di base 2SB1308 2SB1308 2SB1316 2SB1302
Potenza - Max 2 W 2 W 10 W 1.3 W

2SB1308T100P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2SB1308T100P PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per 2SB1308T100P - Rohm Semiconductor.

PCN Design/Specifica
Mult Devices Marking 16/Apr/2018.pdf
Schede tecniche
2SB1308.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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