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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2SB1197KT146R
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SB1197KT146R - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
2SB1197KT146R
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-2SB1197KT146R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
2SB1197KT146R.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 285040

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SB1197KT146R
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - 2SB1197KT146R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - 2SB1197KT146R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 32 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore SMT3  
Serie -  
Potenza - Max 200 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 200MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 100mA, 3V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 800 mA  
Numero di prodotto di base 2SB1197  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor 2SB1197KT146R

Proprietà del prodotto 2SB1197KT146R 2SB1197KT146Q 2SB1197K/Q 2SB1197K T146R
Modello di prodotti 2SB1197KT146R 2SB1197KT146Q 2SB1197K/Q 2SB1197K T146R
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology LAPIS Technology
Contenitore dispositivo fornitore SMT3 SMT3 - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Numero di prodotto di base 2SB1197 2SB1197 - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA - -
Frequenza - transizione 200MHz 200MHz - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 800 mA 800 mA - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 32 V 32 V - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Potenza - Max 200 mW 200 mW - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 100mA, 3V 120 @ 100mA, 3V - -
Tipo transistor PNP PNP - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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