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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXUN350N10
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXUN350N10 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXUN350N10
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXUN350N10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXUN350N10.pdf
In magazzino: 4600

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXUN350N10
Specifiche tecniche IXYS - IXUN350N10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXUN350N10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 3mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 175A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 830W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 640 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 350A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXUN350  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXUN350N10

Proprietà del prodotto IXUN350N10 IXUC160N075 SI4464DY-T1-E3 SQD45P03-12_GE3
Modello di prodotti IXUN350N10 IXUC160N075 SI4464DY-T1-E3 SQD45P03-12_GE3
fabbricante IXYS IXYS Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC ISOPLUS220™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5mOhm @ 175A, 10V 6.5mOhm @ 100A, 10V 240mOhm @ 2.2A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B ISOPLUS220™ 8-SOIC TO-252AA
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 3mA 4V @ 2mA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Numero di prodotto di base IXUN350 IXUC160 SI4464 SQD45
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 640 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 830W (Tc) 300W (Tc) 1.5W (Ta) 71W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 350A (Tc) 160A (Tc) 1.7A (Ta) 50A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 27000 pF @ 25 V - - 3495 pF @ 15 V
Caratteristica FET - - - -
Serie - - TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 75 V 200 V 30 V

IXUN350N10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXUN350N10 PDF e la documentazione IXYS per IXUN350N10 - IXYS.

Schede tecniche
IXUN350N10.pdf

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America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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