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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTY32P05T
IXTY32P05T Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTY32P05T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTY32P05T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTY32P05T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 50V 32A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IXT(Y,A,P)32P05T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 19405

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTY32P05T
Specifiche tecniche IXYS - IXTY32P05T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTY32P05T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie TrenchP™  
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 16A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1975 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTY32  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTY32P05T

Proprietà del prodotto IXTY32P05T IXTY02N120P-TRL IXTX4N300P3HV IXTY26P10T
Modello di prodotti IXTY32P05T IXTY02N120P-TRL IXTX4N300P3HV IXTY26P10T
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc) 200mA (Tc) 4A (Tc) 26A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base IXTY32 IXTY02 IXTX4 IXTY26
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 16A, 10V 75Ohm @ 100mA, 10V 12.5Ohm @ 2A, 10V 90mOhm @ 13A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1975 pF @ 25 V 104 pF @ 25 V 3680 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc) 33W (Tc) 960W (Tc) 150W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±15V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-247PLUS-HV TO-252AA
Tensione drain-source (Vdss) 50 V 1200 V 3000 V 100 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-247-3 Variant TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie TrenchP™ Polar Polar P3™ TrenchP™
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V 139 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXTY32P05T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTY32P05T PDF e la documentazione IXYS per IXTY32P05T - IXYS.

Schede tecniche
IXT(Y,A,P)32P05T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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