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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH32N65X
IXTH32N65X Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTH32N65X - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH32N65X
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH32N65X
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXTx32N65X.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5939

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH32N65X
Specifiche tecniche IXYS - IXTH32N65X, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH32N65X

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie Ultra X  
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 16A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2205 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH32  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH32N65X

Proprietà del prodotto IXTH32N65X IXTH34N65X2 IXTH40N50L2 IXTH30N60L2
Modello di prodotti IXTH32N65X IXTH34N65X2 IXTH40N50L2 IXTH30N60L2
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie Ultra X Ultra X2 Linear L2™ Linear L2™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc) 34A (Tc) 40A (Tc) 30A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 335 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2205 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V 10400 pF @ 25 V 10700 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 135mOhm @ 16A, 10V 105mOhm @ 17A, 10V 170mOhm @ 20A, 10V 240mOhm @ 15A, 10V
Numero di prodotto di base IXTH32 IXTH34 IXTH40 IXTH30
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V 500 V 600 V
Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA

IXTH32N65X Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH32N65X PDF e la documentazione IXYS per IXTH32N65X - IXYS.

Schede tecniche
IXTx32N65X.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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