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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTH10P50P
IXTH10P50P Image
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IXTH10P50P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTH10P50P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTH10P50P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXTx10P50P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9365

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTH10P50P
Specifiche tecniche IXYS - IXTH10P50P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTH10P50P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH)  
Serie PolarP™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTH10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTH10P50P

Proprietà del prodotto IXTH10P50P IXTH10N100D2 IXTC75N10 IXTH04N300P3HV
Modello di prodotti IXTH10P50P IXTH10N100D2 IXTC75N10 IXTH04N300P3HV
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V 1.5Ohm @ 5A, 10V 20mOhm @ 37.5A, 10V 190Ohm @ 200mA, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 5320 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 283 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 ISOPLUS220™ TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) ISOPLUS220™ TO-247HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 72A (Tc) 400mA (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA - 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) 695W (Tc) 230W (Tc) 104W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base IXTH10 IXTH10 IXTC75 IXTH04
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 1000 V 100 V 3000 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 200 nC @ 5 V 260 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Serie PolarP™ Depletion MegaMOS™ Polar P3™
Caratteristica FET - Depletion Mode - -

IXTH10P50P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTH10P50P PDF e la documentazione IXYS per IXTH10P50P - IXYS.

Schede tecniche
IXTx10P50P.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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