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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXTA180N10T7
IXTA180N10T7 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXTA180N10T7 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXTA180N10T7
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXTA180N10T7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Scheda dati
IXTA180N10T7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 9087

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXTA180N10T7
Specifiche tecniche IXYS - IXTA180N10T7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXTA180N10T7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-7 (IXTA)  
Serie Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 480W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 151 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXTA180  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXTA180N10T7

Proprietà del prodotto IXTA180N10T7 IXTA1R4N120P IXTA140P05T IXTA14N60P
Modello di prodotti IXTA180N10T7 IXTA1R4N120P IXTA140P05T IXTA14N60P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 480W (Tc) 86W (Tc) 298W (Tc) 300W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±15V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V 13Ohm @ 500mA, 10V 9mOhm @ 70A, 10V 550mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Serie Trench Polar TrenchP™ Polar
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 1.4A (Tc) 140A (Tc) 14A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base IXTA180 IXTA1 IXTA140 IXTA14
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 151 nC @ 10 V 24.8 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V 666 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-263-7 (IXTA) TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 1200 V 50 V 600 V
Caratteristica FET - - - -

IXTA180N10T7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXTA180N10T7 PDF e la documentazione IXYS per IXTA180N10T7 - IXYS.

Schede tecniche
IXTA180N10T7.pdf

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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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