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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloIXGN200N170
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXGN200N170 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXGN200N170
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXGN200N170
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXGN200N170.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 765

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXGN200N170
Specifiche tecniche IXYS - IXGN200N170, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXGN200N170

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1700 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.6V @ 15V, 100A  
Condizione di test 850V, 100A, 1Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 37ns/320ns  
di scambio energetico 28mJ (on), 30mJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 133 ns  
Potenza - Max 1250 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT -  
carica gate 540 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 1050 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 280 A  
Numero di prodotto di base IXGN200  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXGN200N170

Proprietà del prodotto IXGN200N170 IXGN200N60B IXGN120N60A3D1 IXGM40N60A
Modello di prodotti IXGN200N170 IXGN200N60B IXGN120N60A3D1 IXGM40N60A
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B TO-204
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-204AA, TO-3
carica gate 540 nC - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 280 A 200 A 200 A 75 A
Potenza - Max 1250 W 600 W 595 W 250 W
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1700 V 600 V 600 V 600 V
Tipo di ingresso Standard - - -
Tempo di ripristino inverso (trr) 133 ns - - -
di scambio energetico 28mJ (on), 30mJ (off) - - -
Numero di prodotto di base IXGN200 IXGN200 IXGN120 IXGM40
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.6V @ 15V, 100A 2.1V @ 15V, 120A 1.35V @ 15V, 100A 3V @ 15V, 40A
Pacchetto Tube Tube Tube -
Td (on / off) @ 25 ° C 37ns/320ns - - -
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tipo IGBT - PT PT -
Condizione di test 850V, 100A, 1Ohm, 15V - - -
Serie - HiPerFAST™ GenX3™ -
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 1050 A - - -

IXGN200N170 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXGN200N170 PDF e la documentazione IXYS per IXGN200N170 - IXYS.

Schede tecniche
IXGN200N170.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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