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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloIXGH32N90B2D1
IXGH32N90B2D1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXGH32N90B2D1 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXGH32N90B2D1
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXGH32N90B2D1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 900V 64A 300W TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IXG(H,T)32N90B2D1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4170

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXGH32N90B2D1
Specifiche tecniche IXYS - IXGH32N90B2D1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXGH32N90B2D1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 900 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 32A  
Condizione di test 720V, 32A, 5Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 20ns/260ns  
di scambio energetico 2.2mJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD  
Serie HiPerFAST™  
Tempo di ripristino inverso (trr) 190 ns  
Potenza - Max 300 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT PT  
carica gate 89 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 200 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 64 A  
Numero di prodotto di base IXGH32  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXGH32N90B2D1

Proprietà del prodotto IXGH32N90B2D1 IXGH32N60C IXGH38N60U1 IXGH35N120C
Modello di prodotti IXGH32N90B2D1 IXGH32N60C IXGH38N60U1 IXGH35N120C
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Potenza - Max 300 W 200 W 200 W 300 W
Condizione di test 720V, 32A, 5Ohm, 15V 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V - 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 32A 2.5V @ 15V, 32A 1.8V @ 15V, 38A 4V @ 15V, 35A
Tempo di ripristino inverso (trr) 190 ns - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 64 A 60 A 76 A 70 A
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tipo IGBT PT - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AD TO-247AD TO-247AD TO-247AD
Serie HiPerFAST™ HiPerFAST™, Lightspeed™ - Lightspeed™
di scambio energetico 2.2mJ (off) 320µJ (off) - 3mJ (off)
carica gate 89 nC 110 nC - 170 nC
Tipo di ingresso Standard Standard Standard Standard
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 200 A 120 A - 140 A
Numero di prodotto di base IXGH32 IXGH32 IXGH38 IXGH35
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 900 V 600 V 600 V 1200 V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Td (on / off) @ 25 ° C 20ns/260ns 25ns/85ns - 50ns/150ns

IXGH32N90B2D1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXGH32N90B2D1 PDF e la documentazione IXYS per IXGH32N90B2D1 - IXYS.

Schede tecniche
IXG(H,T)32N90B2D1.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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