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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFT32N50
IXFT32N50 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFT32N50 - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFT32N50
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFT32N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Scheda dati
IXFT32N50.pdf
In magazzino: 5240

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFT32N50
Specifiche tecniche IXYS - IXFT32N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFT32N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-268AA  
Serie HiPerFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFT32  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFT32N50

Proprietà del prodotto IXFT32N50 IXFT88N30P IXFR66N50Q2 IXFT44N50P
Modello di prodotti IXFT32N50 IXFT88N30P IXFR66N50Q2 IXFT44N50P
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Numero di prodotto di base IXFT32 IXFT88 IXFR66 IXFT44
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 9125 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 8mA 5V @ 4mA
Rds On (max) a Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V 40mOhm @ 44A, 10V 85mOhm @ 33A, 10V 140mOhm @ 22A, 10V
Contenitore / involucro TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Contenitore dispositivo fornitore TO-268AA TO-268AA ISOPLUS247™ TO-268AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc) 88A (Tc) 50A (Tc) 44A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) 600W (Tc) 500W (Tc) 658W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 300 V 500 V 500 V

IXFT32N50 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFT32N50 PDF e la documentazione IXYS per IXFT32N50 - IXYS.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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