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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN360N10T
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN360N10T - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN360N10T
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN360N10T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN360N10T.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1322

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN360N10T
Specifiche tecniche IXYS - IXFN360N10T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN360N10T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Trench  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6mOhm @ 180A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 830W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 36000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 505 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 360A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN360  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN360N10T

Proprietà del prodotto IXFN360N10T IXFN360N15T2 IXFN36N110P IXFN34N80
Modello di prodotti IXFN360N10T IXFN360N15T2 IXFN36N110P IXFN34N80
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA 5V @ 8mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 36000 pF @ 25 V 47500 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 360A (Tc) 310A (Tc) 36A (Tc) 34A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 150 V 1100 V 800 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 505 nC @ 10 V 715 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 2.6mOhm @ 180A, 10V 4mOhm @ 60A, 10V 240mOhm @ 500mA, 10V 240mOhm @ 500mA, 10V
Numero di prodotto di base IXFN360 IXFN360 IXFN36 IXFN34
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Dissipazione di potenza (max) 830W (Tc) 1070W (Tc) 1000W (Tc) 600W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V

IXFN360N10T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN360N10T PDF e la documentazione IXYS per IXFN360N10T - IXYS.

Schede tecniche
IXFN360N10T.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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