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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIXFN30N120P
IXYS
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IXFN30N120P - IXYS

fabbricante Modello di prodotti
IXFN30N120P
fabbricante
IXYS Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IXFN30N120P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
IXFN30N120P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 509

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IXFN30N120P
Specifiche tecniche IXYS - IXFN30N120P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad IXYS - IXFN30N120P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante IXYS Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base IXFN30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di IXYS IXFN30N120P

Proprietà del prodotto IXFN30N120P IXFN32N60 IXFN340N06 IXFN34N100
Modello di prodotti IXFN30N120P IXFN32N60 IXFN340N06 IXFN34N100
fabbricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 32A (Tc) 340A (Tc) 34A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 890W (Tc) 520AW (Tc) 700W (Tc) 700W (Tc)
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V 325 nC @ 10 V 600 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V 250mOhm @ 500mA, 10V 3mOhm @ 100A, 10V 280mOhm @ 500mA, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V 600 V 60 V 1000 V
Vgs (th) (max) a Id 6.5V @ 1mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA 5.5V @ 8mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 16800 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base IXFN30 IXFN32 IXFN340 IXFN34

IXFN30N120P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IXFN30N120P PDF e la documentazione IXYS per IXFN30N120P - IXYS.

Schede tecniche
IXFN30N120P.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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